近年、大足石刻の千手観音像の金箔層に局所的な劣化現象が現れ、文化財本体の安全性に一定の脅威をもたらしている。金箔表面から分離された優勢菌株である雑色曲霉菌（Aspergillus versicolor）と易脆毛霉菌（Mucor fragilis）の二株を対象とし、実験室模擬条件下でpH値、開回路電位、交流インピーダンススペクトル、分極曲線などのパラメータを監視し、透過型電子顕微鏡（TEM）およびX線エネルギー分散型分析（EDS）を組み合わせて、両種の菌による金箔腐食機構を予備的に検討した。結果は、両菌株ともに金箔腐食を著しく加速させ、表面の金（Au）元素含量が有意に減少し、C、O、S元素の集積を伴うことを示した。電気化学測定により、両菌株は腐食電位を約0.20～0.24 V負方向にシフトさせ、腐食電流密度をほぼ10倍に増加させ、腐食効率はそれぞれ91.38％および88.91％であった。初歩的な機構推定では、菌代謝により産出される有機酸（クエン酸やシュウ酸など）が溶液の急速な酸性化（pH値4.5～4.8）を引き起こし、不動態膜を破壊すること、その細胞外高分子がバイオフィルムの形成を促進し、硫化物の吸着を通じて界面反応を悪化させる可能性があることが示唆された。雑色曲霉菌の片状腐食は親水性多糖類バイオフィルムによる電解液浸透の強化と関連し、易脆毛霉菌の亀裂拡大は糖化生成物の微小電池効果による可能性がある。

千手観音;金箔腐食;雑色曲霉菌;易脆毛霉菌;腐食機構